كل ساعة مقال

سجل بريدك للحصول على مقالات تناسبك


الوسم: أكسيد الغاليوم

  • تركيب وإجهاد الطبقة الوسيطة α-المزيفة عند واجهة Ga2O3/Al2O3

    في السنوات الأخيرة، شهدت المواد شبه الموصلة اهتمامًا متزايدًا، خاصةً أكسيد الغاليوم (Ga2O3)، الذي يتميز بفجوة طاقة واسعة تجعله مرشحًا مثاليًا لتطبيقات عديدة في الإلكترونيات والاتصالات. ومع ذلك، فإن التركيب والبنية الدقيقة لطبقات هذا المادة عند تفاعلها مع أكسيد الألومنيوم (Al2O3) لم تُفهم بشكل كامل بعد. في هذا المقال، نتناول البحث في طبقة المرحلة الزائفة…