الوسم: استقرار التركيب
-
تركيب وإجهاد الطبقة الوسيطة α-المزيفة عند واجهة Ga2O3/Al2O3
في السنوات الأخيرة، شهدت المواد شبه الموصلة اهتمامًا متزايدًا، خاصةً أكسيد الغاليوم (Ga2O3)، الذي يتميز بفجوة طاقة واسعة تجعله مرشحًا مثاليًا لتطبيقات عديدة في الإلكترونيات والاتصالات. ومع ذلك، فإن التركيب والبنية الدقيقة لطبقات هذا المادة عند تفاعلها مع أكسيد الألومنيوم (Al2O3) لم تُفهم بشكل كامل بعد. في هذا المقال، نتناول البحث في طبقة المرحلة الزائفة…